RFeSI-SOI

Les substrats RFeSI de Soitec améliorent l’intégrité des signaux dans les circuits des modules Front-End dédiés aux réseaux LTE et LTE avancées.

Nos plaques RFeSI-SOI intègrent un matériau d'avant-garde (une couche « Trap Rich ») entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l'oxyde enterré (BOx). Elles améliorent de façon significative les performances RF des circuits intégrés fabriqués sur ces plaques.

Ces plaques RFeSI-SOI permettent d’atteindre des performances encore plus élevées que celles obtenues avec les plaques HR-SOI : 

  • Linéarité accrue
  • Pertes RF plus faibles
  • Diaphonie plus faible
  • Facteurs de qualité renforcés pour les éléments passifs
  • Taille de puce  plus petite
  • Conductivité thermique accrue

Nous mesurons sur les produits RFeSI le facteur de qualité harmonique (HQF), un paramètre de corrélation de l'atténuation de la seconde harmonique (HD2) le long d'un guide d'onde coplanaire. Ceci permet de garantir la performance RF du substrat.

Consulter le livre blanc de Soitec pour plus d'informations (version anglaise uniquement)

Notre gamme RFeSI est conçue pour répondre à tous vos besoins. Nous commercialisons aujourd'hui les produits RFeSI80 et RFeSI90.

Caractéristiques de nos plaques RFeSI :

  • Compatibilité avec les spécifications LTE et LTE avancées
  • Couche supérieure en silicium de 50 nm à 200 nm produite grâce à notre technologie Smart Cut™
  • Couche « Trap Rich » développée par Soitec
  • Résistivité de la plaque de base supérieure à 3 KOhm.cm
  • Plaques de 200 mm et 300 mm
  • HQF inférieur à -80 dBm