Assurer des performances fiables et une forte valeur ajoutée pour les marchés en plein essor des communications cellulaires, du Wi-Fi et de la connectivité.
Les substrats RF-SOI de Soitec répondent aux exigences de performance des circuits RF Front-End.
Ils offrent des performances élevées et une forte valeur ajoutée pour les marchés clés tels que les communications cellulaires, Wi-Fi et connectivité. Produits sur plusieurs sites à l’échelle mondiale, ces substrats garantissent une chaîne d’approvisionnement robuste.
Conçus pour optimiser les capacités planaires CMOS RF, ils répondent aux exigences des applications sans fil avancées grâce à leur forte linéarité, excellente isolation du diaphonie et faibles pertes de signal. De plus, ils permettent l’intégration fluide des fonctions RF, numériques, de contrôle et d’économie d’énergie.
Connect RFeSI™
Chaque couche du RFeSI™, y compris la signature Trap-Rich, est optimisée pour répondre aux exigences les plus élevées des produits et applications RF.
Connect RFeSI lite
Les couches simplifiées du RFeSI lite permettent un compromis entre performance et coût total de possession des circuits intégrés RF (RFIC).
Connect mmWeSI
Spécialement conçu pour étendre les avantages du RFeSI™ aux produits et applications actuels et de nouvelle génération en ondes millimétriques.
Connect HR-SOI
Sans couche Trap-Rich, le HR-SOI est utilisé dans des systèmes sans fil à faible coût traitant des signaux RF de complexité réduite, moins sensibles aux interférences RF.
L'Industrie 4.0 & les Smart Cities ouvrent la voie à des solutions durables.
Le RFeSI™ (RF enhanced Signal Integrity) est le substrat SOI de référence pour les applications RF. Il se compose de quatre couches distinctes : Silicium supérieur de haute qualité, où sont fabriqués les dispositifs RF Oxyde enterré, servant d’isolant pour minimiser les capacités parasites Couche Trap-Rich, garantissant des performances RF optimales Silicium haute résistivité, améliorant l’efficacité de la propagation du signal RF
Le HR-SOI (High-Resistivity Silicon-on-Insulator) est un substrat SOI spécialisé dans lequel la couche inférieure de silicium possède une résistivité plus élevée pour améliorer la propagation du signal RF par rapport aux substrats SOI standards.
Les substrats RF-SOI de Soitec sont intégrés dans 100 % des smartphones 5G et certains appareils connectés Wi-Fi, Bluetooth et 802.15.4. Ils sont également utilisés dans l’infrastructure réseau sans fil, les applications satellites et automobiles nécessitant des performances RF élevées et une efficacité énergétique optimale.
Associés aux procédés CMOS RF des fonderies, les substrats RF-SOI de Soitec offrent des capacités d'intégration élevées et économiques, permettant la coexistence de signaux numériques/logiques, analogiques/mixtes et RF au sein d'un même circuit intégré. Grâce à ses caractéristiques intrinsèques, le RF-SOI de Soitec contribue à minimiser les pertes et les interférences pour un circuit et un système RF à haute efficacité énergétique. De plus, les produits RF-SOI de Soitec sont conçus pour offrir le même niveau de fonctionnalité sur toutes les bandes de fréquences les plus courantes utilisées sur les marchés commerciaux et professionnels.
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