Substrats RF-GaN
Optimiser l’efficacité et la linéarité des amplificateurs de puissance RF pour des performances sans fil supérieures.
Faites de votre projet une réussite
La technologie RF-GaN au service des amplificateurs de puissance pour la 5G
L’impact du RF-GaN sur vos produits
Densité de puissance élevée
Les wafers RF-GaN permettent une densité de puissance plus importante par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels, optimisant ainsi la conception des amplificateurs RF
Large spectre
Le GaN fonctionne à des tensions et températures plus élevées, garantissant fiabilité et performance dans des conditions extrêmes.
Haute efficacité
Les dispositifs GaN réduisent la consommation d’énergie et la dissipation thermique, un atout essentiel pour les performances des appareils 6G.
Fonctionnement haute fréquence
Le GaN est idéal pour les technologies en ondes millimétriques (mmWave), indispensables aux réseaux 6G et aux applications radar en bandes Ka et Ku.
Conductivité thermique
Les wafers RF-GaN assurent une meilleure dissipation thermique, essentielle à la durabilité et aux performances des dispositifs.
Vitesse de commutation élevée
Les transistors GaN commutent plus rapidement que ceux en silicium, optimisant le traitement du signal RF et améliorant la performance des systèmes
Applications du RF-GaN
RF-GaN améliore les performances de la station de base avec une efficacité supérieure, une densité de puissance plus élevée et une plus grande fiabilité permettant des connexions plus rapides et plus fiables.
RF-GaN technology boosts power efficiency, reduces heat, enhances signal clarity, delivers superior performance and extended battery life for wireless handsets.
La capacité du RF-GaN à fonctionner à des fréquences plus élevées le rend idéal pour la bande Ka et les autres bandes de fréquences élevées utilisées dans les communications par satellite modernes, améliorant ainsi les débits de transmission et la clarté du signal. Sa forte densité de puissance permet d'intégrer des émetteurs plus puissants dans un boîtier plus compact, un atout essentiel pour les satellites aux contraintes spatiales.
Le RF-GaN fonctionne de manière fiable dans des conditions de températures extrêmes et de rayonnement élevé, ce qui le rend idéal pour les applications militaires et aérospatiales. Sa capacité de commutation rapide améliore la vitesse et la réactivité des systèmes de défense, tels que la défense antimissile et les contre-mesures électroniques.
Le RF-GaN fonctionne sur un large spectre de fréquences, ce qui le rend idéal pour diverses applications RF industrielles, du chauffage à la génération de plasma. De plus, son excellente conductivité thermique améliore la dissipation thermique, prolongeant ainsi la durée de vie et la fiabilité des dispositifs. Enfin, les composants GaN sont extrêmement durables et résistent aux environnements industriels difficiles, garantissant des performances constantes dans des conditions exigeantes.
Foire aux questions
Le GaN (nitrure de gallium) est un matériau semi-conducteur optimisé pour les applications RF, offrant une efficacité énergétique supérieure, des performances haute fréquence et une excellente conductivité thermique
Le GaN offre une densité de puissance plus élevée, une meilleure efficacité et des performances thermiques supérieures par rapport au silicium, ce qui en fait un choix idéal pour les applications RF haute puissance et haute fréquence.
Le GaN est utilisé dans les Stations de base 5G, les Communications satellites, les Systèmes radar, les réseaux sans fil haut débit, les terminaux mobiles
Le GaN permet une puissance de sortie et une efficacité supérieures, prenant en charge les besoins en haute fréquence et en large bande passante des réseaux 5G, ce qui se traduit par une connectivité plus fiable et plus rapide.
Le GaN améliore les émetteurs-récepteurs satellites avec une meilleure puissance de signal, une efficacité supérieure et une transmission de données améliorée, essentielles pour une communication spatiale fiable.
Le GaN améliore les performances de radar en fournissant une puissance de sortie plus élevée, une plus grande bande passante et une meilleure portée et résolution, essentielles pour les systèmes radar militaires, météorologiques et automobiles.
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