Substrats SmartSiC™
Maximisez la densité de puissance et la fiabilité, réduisez votre empreinte carbone jusqu'à 80 % et sécurisez votre chaîne d'approvisionnement en carbure de silicium
Faites de votre projet une réussite
SmartSiC™ : une technologie clé pour la mobilité et l’industrie
L’impact de SmartSiC™ sur vos produits
Densité de puissance améliorée (+20 % d’ampères/mm²)
Le wafer polySiC à très haute conductivité réduit les pertes par conduction, permettant une augmentation de 30 % de la densité de courant selon la conception des dispositifs.
Performance haute efficacité
Le procédé Smart Cut™, incluant l’implantation d’hydrogène, est démontré insensible à la dégradation bipolaire.
Résistance à la dégradation bipolaire
Il a été démontré que notre procédé Smart Cut™, qui comprend l’implantation d’hydrogène, est immunisé contre la dégradation bipolaire.
Jusqu'à 80 % de réduction des émissions de CO2
Grâce à l'utilisation d'un substrat de poignée polySiC moins énergivore ainsi qu'à des processus de fabrication efficaces et durables et à l'utilisation d'une énergie 100 % à faible émission de carbone, SmartSiC™ peut réduire l'empreinte carbone attribuable au matériau de votre produit jusqu'à 80 %.
Sécurisation de la chaîne d’approvisionnement
1 wafer monoSiC est transformé en au moins 10 wafers SmartSiC™, renforçant la sécurité de l’approvisionnement grâce à une stratégie multi-sourcing en polySiC et monoSiC.
Réduction des coûts CAPEX et OPEX
En permettant d'obtenir un nombre plus élevé de dies exploitables par wafer et en éliminant la nécessité d'un recuit laser sur le verso.
SmartSiC™ : un accélérateur pour l’électronique de puissance dans la mobilité et l’industrie
Onduleurs de traction, chargeurs embarqués et convertisseurs DC-DC, SSCB, permettant des architectures 800V pour véhicules électriques, des systèmes de refroidissement compacts et des tailles de batterie réduites.
Onduleurs de traction 600 V, convertisseurs DC-DC 1200 V et chargeurs embarqués permettant une plus grande efficacité et des vitesses de charge plus élevées.
MOSFETS 1200V pour chargeurs CC compacts et rapides.
Systèmes entièrement SiC 3300 V améliorant l'efficacité et la puissance tout en réduisant les besoins de refroidissement.
Convertisseurs 1200V et 1700V pour installations solaires, garantissant compacité et haute efficacité.
Convertisseurs 1700V+ haute efficacité et compacts, assurant une fiabilité optimale.
Foire aux questions
Ces caractéristiques sont cruciales pour améliorer les performances et l'efficacité énergétique des véhicules électriques de nouvelle génération.
Les plaquettes SmartSiC™ offrent des performances supérieures, des rendements de production plus élevés et une consommation énergétique réduite lors de la fabrication, jusqu'à 70 % inférieure à celle des méthodes conventionnelles. Cette technologie permet aux fabricants de réutiliser des plaquettes mono-SiC de haute qualité, ce qui conduit à des processus de production plus rentables et plus durables, notamment pour les véhicules électriques et les applications industrielles.
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau WBG qui offre des avantages significatifs par rapport au silicium traditionnel, notamment dans les systèmes d'alimentation des véhicules électriques (VE). Il permet une conversion énergétique plus efficace, réduit la taille et le poids des composants et diminue le coût global du système.
Ces caractéristiques sont cruciales pour améliorer les performances et l'efficacité énergétique des véhicules électriques de nouvelle génération.
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