CONNECT RF-GaN
INNOVATION SMARTPHONES ET INFRASTRUCTURES
Notre technologie à base de nitrure de gallium (GaN) appliquée à la radiofréquence stimule l’innovation sur les marchés de l’architecture des infrastructures 5G et des amplificateurs de puissance pour smartphones.
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Notre famille de produits Connect RF-GaN exploite notre technologie de plaques sur nitrure de gallium (GaN) pour augmenter l’efficacité et la densité de puissance des systèmes haute-fréquence des futures générations d’infrastructures 5G et d’appareils mobiles, utilisant des bandes de fréquence inférieures à 6 GHz ou à ondes millimétriques.
Soit des plaquettes Connect épitaxiales GaN - apporter l'innovation à la technologie et aux réseaux 5G
La technologie GaN appliquée à la radiofréquence offre aujourd’hui aux applications de réseau 5G des avantages importants tels que la haute-fréquence et de petites cellules permettant de répondre à des contraintes de taille. La technologie GaN représente clairement une valeur ajoutée par rapport aux technologies traditionnelles à base d’arséniure de gallium (GaAs) ou de silicium (Si) avec une meilleure efficacité des systèmes, une plus grande densité d’énergie, des réductions de taille et une plus faible consommation de courant. La technologie GaN à faible tension permet même de servir aujourd’hui le marché des dispositifs de smartphones 5G utilisant des bandes de fréquences inférieures à 6 GHz ou des bandes d’ondes millimétriques.
La famille de produits de radiofréquence GaN de Soitec comporte des structures constituées de couches hétéro-épitaxiales de pointe telles que (In,Al)N/GaN et (Al,Ga)N/GaN déposées sans fissure sur des substrats en silicium (Si) à haute résistance allant jusqu’à 200 mm (111) ou des substrats semi-isolants en carbure de silicium (SiC) de 150 mm pour des applications de radiofréquence.
Nous proposons des structures de couches optimisées adaptées aux fréquences inférieures à 6 GHz ou à ondes millimétriques. La personnalisation de la conception des structures de couches est disponible sur demande.
Notre couche tampon pour haute tension propriétaire est exempte de fer (Fe) et offre une forte tension de claquage, de faibles effets de piégeage et de faibles pertes de fréquence, ainsi qu’une courbure de plaque constamment réduite.