MANTEL

AUTO POWER-GaN

RENDEMENT DE PUISSANCE

Notre technologie à base de nitrure de gallium (GaN) permet d’atteindre de nouveaux paliers en termes d’efficacité et de fréquences de commutation et réduire ainsi le coût total des systèmes de gestion de puissance dans l’automobile et l’industrie.

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Notre ligne de produits Auto Power-GaN établit de nouveaux standards d’efficacité pour la future génération de systèmes de commutation de puissance automobiles et industriels, augmentant la densité de puissance et réduisant la consommation d’énergie, la taille du système, les besoins de refroidissement ainsi que le coût total.

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Les plaquettes Auto épitaxiales GaN de Soitec – une technologie habilitante pour les systèmes de gestion de l'énergie écoénergétiques de nouvelle génération

Les dispositifs de commutation de puissance à base de nitrure de gallium offrent une plus forte densité énergétique et réduisent les pertes de façon significative aux plus hautes fréquences de commutation par rapport à la technologie conventionnelle à base de silicium. Au niveau du système, ces bénéfices se traduisent par un réduction de la taille, une plus faible consommation d’énergie, de moindres besoins de refroidissement et globalement un coût plus bas.

La technologie de plaques épitaxiées à base de nitrure de gallium développée par Soitec permet de nombreuses innovations au niveau des dispositifs pour répondre aux besoins des futures générations d’applications de puissance destinées aux marchés grand public, de l’automobile et de l’industrie.

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Nos plaques épitaxiées GaN pour les applications de puissance sont des structures multicouches complexes (Al, Ga)N développées selon le procédé d’épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur de composés organométalliques (MOCVD) sur des substrats en silicium de 200 mm de diamètre (111).

Des couches tampon pour haute tension au design optimisé, disponibles pour des applications de 200V et 650V, offrent de faibles courants de fuite, une forte tension de claquage, une faible dispersion et une courbure de plaque constamment réduite.

Soitec propose des structures standard de transistors à mobilité d'électrons élevée (HEMT) en mode D avec une passivation de surface SiN ou des couches de protection GaN in situ, ainsi que des structures standard en mode E avec des couches de protection p-GaN.

Une variété de combinaisons de couches de protection et de barrières peut être proposée pour obtenir des solutions différenciées, y compris une passivation de surface SiN in situ qui permet d’obtenir une excellente performance et une très forte robustesse du dispositif.