TECHNOLOGIE SMART STACKING™

Notre technologie Smart Stacking est une technologie brevetée, utilisée pour transférer de très fines couches de plaques CMOS gravées ou partiellement gravées sur d’autres matériaux. 
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NOTRE TECHNOLOGIE DE TRANSFERT DE COUCHES

Ce transfert est réalisé par collage direct de la plaque à basse température et par amincissement mécanique-chimique. Nos compétences étendues en transfert de couches nous permettent de répondre aux besoins de chaque client : la technologie Smart Stacking s'adapte en effet aux plaques de 150 mm à 300 mm de diamètre. Elle est également compatible avec une grande diversité de substrats dont le silicium, le verre, la céramique (AIN polycristallin), la silice fondue, le saphir.

COMMENT FONCTIONNE LA TECHNOLOGIE SMART STACKING ?

Utilisée pour transférer de fines couches de plaques sur d’autres substrats, dans un environnement industriel performant, notre technologie Smart Stacking inclut les étapes suivantes :

  • le conditionnement de surface
  • le collage moléculaire à basse température
  • l'amincissement des plaques
  • le traitement des bords de plaque
  • le nettoyage de la plaque et la métrologie

Ce procédé s’appuie sur plus de 20 ans d’expérience et sur un solide portefeuille mondial de brevets.

UTILISATIONS DE LA TECHNOLOGIE SMART STACKING

La technologie Smart Stacking peut être utilisée pour :

  • Le collage et l'amincissement directs : 
    - Collage à faibles contraintes et sans défaut
    - Haute résistance et qualité du collage
    - Alignement des plaques à +/-1 μm près
    - Surface de  haute qualité
    - Meilleure gestion des bords de plaque
  • Le collage à haute et basse température
  • Les plaques entrantes :
    - Partiellement gravées  (implanté, à motifs d’oxyde)
    Totalement gravées (CMOS, CCD, interconnexion Al et Cu)
  • La métrologie entrante (topologie, qualité de surface, morphologie générale)
  • Les plaques de 150 mm, 200 mm et 300 mm

LES AVANTAGES DE NOTRE TECHNOLOGIE SMART STACKING

Elle ouvre de nombreuses possibilités de transfert de couche.

Elle est compatible avec des plaques entièrement gravées, partiellement gravées ou présentant des cavités. La couche transférée peut mesurer de quelques microns à plusieurs centaines de microns d’épaisseur.

Cette technologie intégrée répond aux exigences de l’industrialisation.

Chaque étape du processus de transfert de couche (préparation de surface, collage des plaques, amincissement, polissage, nettoyage et métrologie) est basée sur les outils standards de l’industrie des semi-conducteurs et optimisé pour ces équipements existants. Notre technologie Smart Stacking permet ainsi d’obtenir un excellent rendement et de répondre aux normes de fiabilité les plus exigeantes (dont celles du secteur militaire).

DU DÉVELOPPEMENT DE PRODUITS À LA FABRICATION EN SÉRIE

Nous menons depuis plusieurs années des partenariats fructueux avec des clients clés,  appartenant à des secteurs variés. Nous proposons des technologies adaptées aux applications de pointe  des matériaux semi-conducteurs : produits RF, capteurs d'image rétro-éclairés, MEMS et circuits intégrés 3D.
Du développement de produits à la livraison de prototypes et à l'assistance pour la production en série, nos compétences nous permettent de proposer des solutions d'intégration 3D flexibles.
Nous disposons de l'expertise, de la propriété intellectuelle, des procédés, des technologies et des équipements pour proposer des solutions adaptées à une large gamme d'applications.

HISTOIRES DE RÉUSSITES

La technologie Smart Stacking a été très tôt utilisée pour les capteurs d’image rétro-éclairés, car elle accroît leur sensibilité et permet de diminuer la taille des pixels.
Elle a aussi été largement utilisée dans les principaux smartphones pour fabriquer des commutateurs RF haute performance à base de silicium sur saphir (BSOS).
Elle permet également d'améliorer considérablement les performances des produits RF et ouvre de nouvelles perspectives aux applications RF, MEMS et d'intégration 3D.
Ce procédé est adapté aux exigences d'un large éventail de clients et évolue selon les spécificités des produits finaux.

En savoir plus sur le RF-SOI

AVANTAGES

Dans les capteurs d'image rétro-éclairés, la technologie est utilisée pour coller et amincir la plaque d'image gravée qui porte les circuits de détection CMOS et pour exposer l'arrière du capteur. Elle est aussi parfaitement adaptée à la fabrication de substrats à cavités intégrées ou de structures en 3D sur mesure.

Principaux avantages : 

  • Circuits transférés de haute qualité
  • Rendement accru
  • Coût réduit
  • Conformité reconnue aux normes militaires
  • Technologie industrielle reconnue pour une entrée rapide sur le marché