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SMART PD-SOI

CALCUL DE HAUTE PERFORMANCE

Notre technologie de silicium sur isolant (SOI) partiellement déplétée (PD) répond aux exigences d’efficacité et de fiabilité des composants électroniques, processeurs, interfaces, convertisseurs et puces mémoire utilisés dans les systèmes de calcul de haute performance (HPC) et les infrastructures Cloud.

Demande de devis

La ligne de produits Smart PD-SOI permet aux clients d’améliorer, augmenter et intégrer un gamme croissante de capacités et de fonctionnalités de calcul de haute performance (HPC) dans les infrastructures de serveurs, d’intelligence artificielle (AI) et d’internet des objets (IoT), ainsi que dans les architectures multiples de hardware dédié aux systèmes avancés de planification des ressources (ERP).

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L'INTÉGRATION DE FONCTIONS DIFFÉRENTES AUGMENTE

Les circuits électroniques intègrent de plus en plus de fonctions :

  • calcul (microprocesseur, processeur de signal d'image, processeur de signal numérique DSP, etc.)
  • interfaces (USB, FireWire,Ethernet, etc.)
  • analogique (convertisseur analogique-numérique, convertisseur numérique-analogique, régulateur de tension, gestion de puissance, boucle PLL)
  • mémoire (mémoire morte, mémoire vive, mémoire flash)
P Dsoifr
Smart PD-SOI

Après avoir été un produit phare de Soitec pour les microprocesseurs pour PC et les consoles de jeux, le PD-SOI est aujourd'hui principalement utilisé pour le marché des microprocesseurs pour serveurs pour les nœuds technologiques de 45 nm à 22 nm.

Les caractéristiques typiques d’une plaque de PD-SOI sont les suivantes :

  • Épaisseur de la couche silicium supérieure : 880 Å
  • Uniformité de la couche silicium supérieure : +/-25 Å
  • BOX : 1 450 Å & 1 900 Å
  • Disponible en 300 mm
Finfetfr
Smart FinFET-SOI

Le FinFET-SOI adresse les nœuds technologiques avancés (14 nm et au-delà) utilisant des transistors 3D. Il cible les applications à ultra-haute performance comme les centres de données. Le BOX représente une couche d'arrêt de gravure naturelle qui permet un procédé de fabrication plus simple pour créer les structure FinFET 3D.

Les caractéristiques typiques d’une plaque de FinFET-SOI sont les suivantes :

  • Épaisseur de la couche silicium : 425 Å
  • Uniformité de la couche supérieure : +/-15 Å
  • BOX : 1 900 Å
  • Disponible en 300 mm
Transistor PD
Un transistor PD

Les supers calculateurs demandent de la performance énergétiques

L'électronique doit fournir de la performances de calcul mais aussi une solution frugale en énergie. Au niveau des servers, une meilleure efficacité est demandée puisque le calcul dans le cloud va nécessité une demande croissante en énergie.

Des servers largement distribués sur le marché ont déjà bénéficié de la technologie PD.