Substrats Connect POI
Des substrats piézoélectriques multicouches conçus sur mesure pour la fabrication de filtres RF haute performance, offrant une uniformité de film mince inégalée grâce à la technologie Smart Cut™.
Faites de votre projet une réussite
Connect Piezoelectric On Insulators
En combinant son expertise des dispositifs à ondes élastiques avec sa technologie Smart Cut™, Soitec a développé des substrats piézoélectriques multicouches conçus pour répondre aux exigences du marché des filtres RF basés sur la technologie des ondes acoustiques de surface SAW – (Surface Acoustic Wave).
Le substrat POI (Piezoelectric On Insulator), associé à des transducteurs interdigités (IDT), permet la réalisation de filtres SAW haute performance capables de satisfaire les exigences strictes des bandes de télécommunication. Il offre des performances RF accrues grâce à un facteur de qualité élevé et à des pertes d’insertion réduites.
Ce substrat présente également des propriétés thermiques optimisées, avec un faible coefficient de fréquence en température (TCF) et une meilleure dissipation thermique.
Aussi, il offre une vitesse de phase bien maîtrisée, une grande flexibilité en terme de bande passante, grâce au facteur de couplage acoustique (k²) sélectionné, et des capacités de multiplexage avancées.
Robuste et compatible avec les lignes de fabrication de packaging et d’assemblage avancés pour les modules Front-End, il est particulièrement bien adapté à une production de masse fort volume.
Catalogue des produits Connect POI
Description de la structure du produit Connect POI
Le substrat multicouches Connect POI est composé de quatre couches. Les matériaux piézoélectriques sont soit du Lithium de Tantalate LiTaO3, soit du Lithium de Niobate LiTaO3.
Produit LT6-MHB
Wafer 150 mm, à base de LiTaO3 , dédié aux filtres RF du segment de fréquences Mid/High Band, de 1 à plus de 3GHz.
Plusieurs orientations de Silicium et d’angles d’Euler sont disponibles.
Produit LT6-LB
Wafer 150 mm à base de LiTaO3 , dédié aux filtres RF du segment de fréquences Low Band, sous 1 GHz. Plusieurs orientations de Silicium et d’angles d’Euler sont disponibles.
Produit LN6
Produits LT8-LB et LT8-MHB
Wafer 200 mm, pour les filtres RF des segments Low Band et Mid High Band , jusqu’à 3 GHz +.
Des communications plus rapides, une consommation maîtrisée : le Connect POI booste l’efficacité des équipements connectés
Compact par nature, le filtre ML-SAW sur substrat POI trouve facilement sa place dans des designs miniaturisés. Ce n’est pas tout : il permet à l’ensemble de la chaîne de télécommunication de fonctionner avec une consommation réduite — l’idéal pour que ces lunettes intelligentes restent à la fois légères, performantes et avec un objectif clair : tenir une journée complète sans recharge.
Sélectivité, isolation et faible consommation : ce sont les atouts-clés de la technologie Connect POI ! La miniaturisation offerte par cette solution représente un avantage majeur pour le marché des objets connectés et portables.
Les atouts du Connect POI pour la conception des filtres RF
Des bénéfices concrets pour les filtres Tx
Gain for Rx filters
Les faibles pertes d’insertion et la réjection hors-bande que le Connect POI permet d’atteindre représentent des leviers technologiques pour les DMS, Double Mode SAW, et toutes autres architectures innovantes de filtres. Cela répond aux critères requis de réjection et sélectivité des canaux adjacents - Adjacent Channel Rejection et Adjacent Channel Selectivity -. Les avantages décrits pour des filtres en transmission Tx s’appliquent également aux filtres en réception Rx.
Multiplexage : du duplexeur au … x-plexeur
Un filtre duplexeur est obtenu en combinant les approches des filtres Tx et Rx, possible sur POI. La versatilité du Connect POI permet d’intégrer sur une même puce des filtres adressant des fréquences différentes: duplexeurs, diplexeurs et multiplexeurs peuvent donc être fabriqués sur une même puce, avec un même niveau de métal pour les électrodes. L’isolation inter-bandes obtenue garantit une performance optimale pour les chemins agrégés.
Une solution simple de fabrication et d'assemblage du filtre, pensée pour l'efficacité industrielle
Compatibles avec plusieurs variantes de fabrication des électrodes et les technologies de packaging les plus avancées, les filtres RF multilayers Connect POI se produisent et s’intègrent en toute simplicité : seulement quelques masques lithographiques sont nécessaires. Le substrat silicium, robuste, rend le fine-pitch WLCSP, le flip-chip, l’assemblage en module, ou tout SiP pour des modules RFFE, industriables. Résultat : des rendements nettement supérieurs au TC-SAW, et applicables également pour les dispositifs multi-fréquences !
Avantages d’un SAW sur POI par rapport à un SAW sur bulk piézo
La structure multicouches du Connect POI offre une amélioration significative des performances de guide d’onde. Elle amplifie les propriétés piézo-électriques et limite les variations thermoélastiques. Et cela, sur un substrat, loin d’être fragile ! De plus, les épaisseurs de chaque couche peuvent être ajustées pour optimiser les performances pour plusieurs bandes de fréquence, ce qui rend le multiplexage performant !
Compatibilité Sélectivité des bandes 5G et coexistence avec le WiFi
Connect POI is capable of addressing the whole spectrum, including LTE, 5G, and beyond, enabling energy efficient RF filter designs with compact footprint. Which leads to address multiple markets : Mobile Market,IoT Market,Non Terrestrial Network and SATCOM.
En savoir plus sur le Connect POI
Foire aux questions
Les filtres RF sont les premiers composants après l’antenne et sont essentiels dans la chaîne d’émission-réception (RX/TX) pour des technologies comme GSM, 5G, GNSS, etc
Le matériau piézoélectrique est collé à un substrat en silicium à l’aide d’une couche intermédiaire de dioxyde de silicium. Cette technologie sur wafer permet d’atteindre de meilleures performances de filtrage acoustique que les matériaux massifs traditionnels -- dits “bulks”--.
Le Connect POI est la tranche POI développée par Soitec, spécifiquement optimisée pour maximiser les performances des filtres MultiLayer SAW sur POI.
Les matériaux piézoélectriques sont couramment utilisés dans les filtres RF, à travers deux grandes technologies : Bulk Acoustic Wave, dite BAW, et Surface Acoustic Wave, dite SAW.
Les filtres SAW sur POI sont constitués de transducteurs interdigités métalliques, ou électrodes, déposés sur un substrat POI. L’énergie de l’onde sélectionnée est confinée dans la couche supérieure du substrat.
L’empilement multicouche du Connect POI offre de meilleures performances de guidage d’ondes, en renforçant les propriétés piézoélectriques et en compensant les variations thermoélastiques du matériau. Le tout, sur un substrat mécaniquement robuste !
Le multiplexage devient possible grâce à la polyvalence du design multicouche du Connect POI.
Cette technologie permet d’obtenir une bien meilleure linéarité RF, quel que soit le point de fonctionnement du circuit intégré du filtre.
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