LE SUBSTRAT INNOVANT POI PERMET LA FABRICATION DE FILTRES POUR LES MODULES FRONT END RF

Adresser les challenges des filtres 5G

Nos substrats innovants Piezoelectric-on-Insulator (POI) permettent la fabrication de filtres à ondes acoustiques de surface (SAW) hautes performances répondant aux exigences imposées par le réseau 4G et les nouvelles bandes radio (NR) 5G.

Substrats POI Soitec

Nos substrats innovants POI permettent le design de filtres avec un haut facteur de qualité, une large bande passante, une très faible sensibilité en température et de faibles pertes d’insertion avec une technologie de fabrication de composants simple. Ils permettent également d’intégrer de multiples filtres sur une même puce et d’adresser les exigences des hautes fréquences.

Composition du substrat POI

Le substrat POI est constitué de trois couches : un matériau piézoélectrique, un oxyde enterré et une couche de silicium.

L’oxyde enterré permet de sélectionner et de guider uniquement les ondes à forte vélocité, permettant de faibles pertes et une très haute sélectivité du signal. Il permet aussi de contraindre le matériau piézoélectrique face aux variations de température, assurant une exceptionnelle stabilité de la fréquence lors de changements de température.

 

Spécifications:

Disponible en plaques de 150mm

Matériau piézoélectrique : Lithium Tantalate (LiTaO3)

Epaisseur de la couche piézoélectrique : 300nm-1um