Power SOI Soitec mantel

Auto Power-SOI


PUISSANCE POUR VEHICULES ET INDUSTRIE

Notre technologie de silicium sur isolant (SOI) améliore l’efficacité énergétique, la fiabilité et la durabilité des applications et solutions automobiles et industrielles.



Notre ligne de produits Auto Power-SOI répond aux exigences liées à l’association de fonctions haute et basse tension dans des circuits intégrés de puissance intelligents et durables destinés aux composants électroniques pour les marchés automobile et industriel.

VERS UN MONDE PLUS DURABLE

Au cours de la dernière décennie, l’utilisation du Power-SOI avec la technologie BCD (Bipolaire-CMOS-DMOS) a fait ses preuves et démontré ses avantages en matière d’applications de puissance dans l’automobile et l’industrie.

Principaux avantages :

  • Permet l’intégration de blocs à faible tension et de blocs à haute tension sur la même puce
  • Forte immunité au bruit et robustesse au niveau du système
  • Permet la conception de transistors à faible résistance ? qui améliorent l’efficacité énergétique
  • Résistance aux températures élevées, ce qui facilite la conception de circuits intégrés de haute performance (AEC-Q100 grade 0)

LA TECHNOLOGIE SMART POWER


Une solution d'intégration complète

La technologie Smart Power permet d’intégrer sur une seule puce toutes les étapes de la conversion de puissance, les fonctions de sécurité (contrôle de la température ou des surcharges), la commande à distance et d'autres fonctions analogiques et numériques. Il en résulte une réduction de la taille de la puce, une plus grande efficacité et des coûts plus bas.


NOS PRODUITS AUTO POWER-SOI


Nos produits Power-SOI procurent une excellente isolation électrique. Parfaitement adaptés à l'intégration de composants fonctionnant à des tensions différentes (de quelques volts à plusieurs centaines de volts), ils permettent de réduire la surface des puces et d’augmenter leur fiabilité.


Un substrat Power-SOI type est caractérisé par:

une couche d’oxyde enterré de 1 µm avec une couche supérieure de silicium de 1,5 µm

Exemples d’applications

  • Infrastructure réseau embarquée dans les véhicules (IVN)
  • Circuits intégrés de gestion de l’alimentation électrique (PMIC)
  • Puces de système de base (SBC)
  • Système de gestion de batterie (BMS)
  • Contrôle / actionnement de moteur intelligent
  • Circuits intégrés de capteurs industriels et de générateurs d’ultrasons
  • Circuits intégrés de commande de grille, amplificateurs de classe D
  • Circuits intégrés de commande de LED

Marchés

  • Automobile
  • Industrie
  • Santé

Spécifications

  • Disponibles en plaques de 200 mm et 300 mm de diamètre
  • Couche supérieure en silicium : 0,1 µm à 20 µm
  • Epaisseur de la couche d'oxyde enterré (BOX) : 0,1 µm à 3,0 µm