Diodes valide les substrats SmartSiC™ de Soitec pour les dispositifs de puissance SiC
Diodes Incorporated (Nasdaq : DIOD), une société cotée aux indices Standard and Poor's Smallcap 600 et Russell 3000, leader mondial dans la fabrication et la fourniture de produits standard de haute qualité destinés à des applications spécifiques sur les marchés des semi-conducteurs discrets, logiques, analogiques et à signaux mixtes, et Soitec (Euronext - Tech Leaders), un leader mondial de la conception et de la production de matériaux semi-conducteurs innovants, ont annoncé la validation des substrats SmartSiCTM 150 mm de Soitec pour les diodes Schottky 650 V SiC de Diodes, en plus des améliorations testées sur les appareil ON-Resistance 1200V de VDMOSFET, comme présenté lors de l'ICSCRM 2025.
La conception des expériences (DOE) a clairement démontré les avantages des plaquettes SmartSiCTM pour réduire la résistance à l'état passant des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC). Les composants encapsulés à partir des plaquettes assemblées ont désormais passé avec succès la vérification initiale de robustesse, ce qui permet à la fonderie SiC Clas-SiC Wafer Fab Limited de proposer SmartSiC comme option de substrat dans son kit de conception de processus MOSFET 1200 V.
« Le SmartSiC™ de Soitec est une technologie innovante qui répond à la demande croissante du marché pour des dispositifs de puissance en carbure de silicium offrant un meilleur rendement et une densité de puissance plus élevée », a déclaré Christophe Maleville, Chief Technology Officer de Soitec. « La combinaison des substrats SmartSiC™ de Soitec et des dispositifs de pointe de Diodes.Inc peut constituer une excellente solution pour les marchés des dispositifs de puissance automobiles et industriels. »
SmartSiC™ est une technologie exclusive de Soitec qui permet, grâce à la technologie SmartCut™ également exclusive, de diviser une fine couche d'une plaquette « donneuse » monocristalline de SiC de haute qualité et de la lier à une plaquette polySiC « support » à faible résistivité. Le substrat ainsi conçu améliore les performances des dispositifs et les rendements de fabrication. La plaquette « donneuse » peut être réutilisée plusieurs fois, ce qui réduit considérablement l'empreinte environnementale globale de la production de plaquettes en SiC.
