Connect iFEM-SOI

Alors que le nombre d’objets connectés se multiplie, fournir des connections sans fil robustes et fiables au juste prix est plus que jamais d’actualité.

En s’appuyant sur la richesse de son expertise et sur sa longue expérience des substrats RF-SOI, Soitec introduit la technologie iFEM-SOI en 300 mm.

Les avantages bien connus de la linéarité et de l’intégration d’une couche « trap rich » présente dans les substrats RF-SOI permet aux architectes de systèmes d’utiliser l’iFEM-SOI pour intégrer l’ensemble des éléments composant le module frontal de radiofréquence (RFFE) – commutateur, amplificateur à faible bruit (LNA), amplificateur de puissance (PA) et fonctions supports (mémoire, polarisation, etc.) – ce qui réduit la complexité du design et améliore le délai de mise sur le marché pour des applications aussi exigeantes que les modules RFFE Wi-Fi des appareils mobiles, nomades ou fixes.