RF-SOI POUR COMMUNICATIONS MOBILES

Nos substrats RF-SOI améliorent la vitesse et la qualité de connection des smartphones

Nos substrats RF-SOI augmentent les performances de radiofréquence des circuits des modules front-end (modules d’émission-réception). Ils rendent les transmissions de données plus rapides et plus fiables, pour répondre aux exigences des réseaux 3G, 4G/LTE, LTE avancée et à celles des prochaines générations de réseaux, notamment la 5G.
LA TRANSMISSION DE DONNÉES DOIT S'ACCÉLÉRER POUR RÉPONDRE AUX ATTENTES DU MARCHÉ

Au fil des années, nos smartphones nous ont permis de passer de l'envoi de simples messages textes à la vidéo en direct.

Demain, grâce à la 5G, l'accélération de la vitesse de transfert de données nous donnera accès à la réalité vrituelle, aux maisons connectées, à la communication entre voitures et bien plus.

Le module front-end joue un rôle-clé dans l'atteinte de ces performances.

LE MODULE FRONT-END DES SMARTPHONES ASSURE LE TRANSPORT DES DONNÉES À TRÈS HAUTE FRÉQUENCE 

Les smartphones intègrent des fonctions très variées : émission et réception radio, traitement numérique, mémoire, audio, gestion de batterie, appareil photo, affichage, etc. Le module front-end permet l'émission et la réception des signaux  radiofréquences (RF) entre le téléphone cellulaire et la station de base.

LA COMPLEXITÉ DES MODULES FRONT-END AUGMENTE

Les exigences en termes de performance et le nombre de composants des modules front-end augmentent à chaque nouvelle génération de smartphones. Nos produits RF-SOI apportent une meilleure linéarité et des pertes d'insertion plus faibles au meilleur rapport coût/performance.
Ils permettent ainsi d’obtenir des vitesses de transfert de données plus élevées, des durées de vie de batteries plus longues et une réduction d'appels interrompus.

100%  des smartphones utilisent la technologie RF-SOI de Soitec
100%
des smartphones utilisent la technologie RF-SOI de Soitec
20 milliards de circuits intégrés RF utilisent les plaques RF-SOI de Soitec
20 milliards
de circuits intégrés RF utilisent les plaques RF-SOI de Soitec

NOS PRODUITS RF-SOI

Nos substrats RF-SOI sont produits en forts volumes  et sont devenus une référence pour les fabricants de modules RF front-end : ils leur permettent de fabriquer des circuits intégrés qui répondent aussi bien à leurs exigences de performance qu’à leurs attentes en termes de coût.  

Nos produits RF-SOI sont caractérisés par de hautes performances RF sur film de silicium, compatibles avec les procédés CMOS standard, une linéarité, une isolation RF et des signaux de puissance élevés, une diminution des pertes RF dans le substrat l'intégration des traitements numériques et de la gestion de puissance.

Ils répondent au spectre complet des différentes exigences de performance.

Soitec RFeSI

Pour les composants exigeants en termes de linéarité.

Notre gamme RFeSi est particulièrement bien adaptée aux spécifications LTE et LTE avancée et répond à différentes exigences de performance.

Une couche « Trap Rich » est ajoutée sous l'oxyde enterré pour une performance RF élevée.

Substrat HR-SOI de Soitec

Pour les composants moins exigeants en termes de linéarité. 

Nos produits HR-SOI permettent de satisfaire les spécifications 2G et 3G. 

Technologie de transfert de Soitec pour substrat RF

Pour les composants demandant d’atteindre les meilleurs niveaux de linéarité. 

Les couches supérieures d'une plaque CMOS sont transférées sur un substrat RF haute performance.
Ce procédé est compatible avec une grande diversité de substrats : verre, AIN, silice fondue, etc.