Plaques épitaxiées à base de Nitrure de Gallium (GaN)

Pour l'innovation dans les segments de marché en forte croissance de la 5G, de puissance et des capteurs

Nos matériaux dédiés aux systèmes sur puce (SoC) communicants permettent de fabriquer des composants électroniques plus efficaces, plus connectés et plus fiables. Ils répondent aux besoins d’une large gamme d’applications, allant de l'Internet des objets aux serveurs informatiques.

PLAQUES EPITAXIÉES GAN – UNE INNOVATION POUR LA 5G, L’ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE ET LES CAPTEURS INTELLIGENTS

Au cours des dernières décennies, les technologies à base de silicium et d'arséniure de gallium ont ouvert la voie à de nombreuses innovations électroniques dans les systèmes RF sans fil et les systèmes convertisseurs de puissance à commutation. Toutefois, les technologies de semi-conducteurs en place approchant de leurs limites physiques, les améliorations ne peuvent, pour le moment, se faire que de manière marginale.

En tant que semi-conducteur à large bande, le GaN offre une efficacité et une densité de puissance plus élevées que les semi-conducteurs conventionnels au niveau des dispositifs. Au niveau du système, ces avantages se traduisent par une réduction de la taille, une consommation d’énergie et des coûts inférieurs.

Nos plaques épitaxiées GaN sont des structures multicouches complexes (Al, In, Ga)N développées selon le procédé d’épitaxie par dépôt en phase vapeur de métal-organométalliques sur des substrats en silicium ou en carbure de silicium (SiC). Les plaques épitaxiées GaN/Si et GaN/SiC obtenues sont utilisées pour fabriquer des dispositifs électroniques dont les performances en termes de puissance RF, d‘efficacité de commutation de puissance, de robustesse et de sensibilité du capteur, sont supérieures aux technologies existantes.

STRUCTURES DE COUCHES HETERO-EPITAXIÉES POUR PUISSANCE RF, COMMUTATION DE PUISSANCE ET CAPTEURS

Les hétéro-structures ultramodernes de couches épitaxiées (Al, Ga) N / GaN de Soitec sont déposées sans fissure sur un (111) substrat en silicium ou en SiC semi-isolant. Les diamètres jusqu'à 200 mm sont pris en charge pour les substrats en silicium, et ceux jusqu'à 150 mm pour les substrats en SiC.

Des couches tampon au design optimisé sont disponibles pour les applications RF ou haute tension,  qui offrent de faibles courants de fuite, une tension de claquage élevée, une dispersion et des pertes RF faibles, avec une courbure de plaque toujours faible.

Une variété de combinaisons de couches de protection de surface et de barrières peut être offerte , notamment une passivation de surface SiN in-situ qui permet une performance et une fiabilité du dispositif supérieures par rapport aux composants à base de Si et GaAs.