IMAGER-SOI

Pour l’amélioration des performances des prochaines générations de capteur d’image 3D

Notre ligne de produits imager-SOI a été spécialement conçue pour la fabrication des capteurs d’image à illumination face avant pour les applications proche infrarouge.

Capter l’image en 3D

Les capteurs 3D sont sur le point de révolutionner les applications grand public.

Un nouveau monde basé sur des interfaces hommes/machines avancées est en train d’émerger. De nombreuses nouvelles applications tirent partie de cette technologie : réalité augmentée, réalité virtuelle et reconnaissance faciale. Les caméras 3D constituent l’épine dorsale de cette révolution.

Défis technologiques liés à la réalisation de capteurs d’image CMOS dans le proche infrarouge

Les technologies de capture d’image 3D requièrent des capteurs CMOS spécifiques travaillant dans le proche infrarouge.

A cause de la trop grande transparence du silicium à ces longueurs d’onde (cf. ci-contre), la réalisation de tels capteurs pose un certain nombre de défis :

1.    La capacité limitée à capturer de la lumière infrarouge, menant à des efficacités quantiques réduites

2.    Une diaphonie accrue par rapport au spectre visible

3.    Un parasitage de la lecture des informations à cause du bruit du substrat et de la contamination métallique

Ces phénomènes réduisent considérablement le rapport signal sur bruit des capteurs CMOS dans le proche infrarouge.

Avantages du SOI pour les capteurs d'image CMOS en proche infrarouge

Le nouveau substrat SOI pour capteur d’image permet d'étendre simplement la plage de fonctionnement des capteurs d'image CMOS dans le spectre infrarouge.

Cette version optimisée du substrat SOI améliore considérablement le rapport signal sur bruit grâce aux caractéristiques suivantes:

1.    Efficacité quantique améliorée par le piégeage de la lumière dans le pixel

2.    Réduction de la diaphonie grâce à l'isolation complète des pixels

3.     Isolation totale par l’oxyde enterré limitant l'influence du bruit du substrat et de la contamination métallique

4.    Barrière de diffusion grâce au BOX réduisant l’impact de la contamination métallique

 

 

Disponible en  300mm

BOX de 25nm à 145nm

Couche de silicium supérieure de 50nm à 150nm