EXPERTISE EN MATÉRIAUX COMPOSÉS III-V

Les fabricants de puces se tournent vers les matériaux composés III-V pour résoudre les nouvelles problématiques liées à l’accélération de la vitesse de commutation ou aux besoins en bande des communications optiques. Les substrats III-V de Soitec offrent des solutions qui n'exigent aucun compromis.

Grâce à notre technologie brevetée Smart Cut™, nous pouvons proposer des substrats spécifiquement conçus pour répondre aux attentes de nos clients. Nous pouvons par exempler transférer une fine couche de matériau cristallin d'un substrat donneur en nitrure de gallium (GaN ou InGaN) ou en phosphure d'indium (InP) vers un autre substrat pour produire différents types de plaques présentant une très haute qualité, à un coût compétitif.  

NITRURE DE GALLIUM SUR OXYDE (GaNoX)

Le GaNoX présente la même qualité cristalline que le GaN massif mais à un prix sensiblement moins élevé.

Grâce à notre procédé Smart Cut et à la possibilité de réutiliser la plaque de départ, les composants de puissance peuvent être produits directement sur GaNoX. Cela permet d'éviter l'étape de croissance d’une couche d’adaptation de plusieurs microns d'épaisseur, qui est requise lorsque l'on utilise du GaN sur du silicium par exemple.

De plus, grâce à la qualité cristalline supérieure du GaNoX, des tensions de service plus élevées peuvent être utilisées. D’où une large gamme d'applications et un rapport coût/performances plus attractif que les substrats de type SiC (Silicon Carbide) utilisés jusqu'à 1 200 V.

PHOSPHURE D'INDIUM SUR ARSÉNIURE DE GALLIUM (InPoGaAs) ET PHOSPHURE D'INDIUM SUR GERMANIUM (InPoGe)

Les besoins en InP de l'industrie des semi-conducteurs continuent d’augmenter. Cependant le coût élevé et la fragilité de ces substrats limitent l'utilisation de l'InP.

Nous développons une alternative avec des plaques de 150 mm de diamètre à un coût moins élevé. Ces substrats III-V présentent les propriétés cristallines de l'InP massif tout en offrant la robustesse du GaAs ou du Ge.

UN LARGE ÉVENTAIL D'APPLICATIONS

Énergie solaire

L'InPoGaAs est un substrat idéal pour la production de cellules solaires à multiples jonctions. Ces substrats ont permis à la technologie du photovoltaïque à concentration (CPV) d’atteindre un record mondial, avec un rendement de 46% mesuré au niveau de la cellule. Nous disposons d’un portefeuille diversifié, qui comprend également des substrats en InPoGe à haute teneur en indium, résistants aux rayonnements et bien adaptés aux applications solaires spatiales.

Photonique

L'InPoGaAs peut être également utilisé pour des applications photoniques telles que des photodétecteurs de type diodes PIN. La couche active d'InP est prête pour l'épitaxie, ce qui permet de produire des structures photoniques sur ces substrats économiques et robustes.

Radiofréquence

En outre, la technologie InPoGaAs est totalement compatible avec les plaques de 150 mm de diamètre. Ces substrats représentent la future génération d'InP et ouvrent la voie à des applications telles que la 5G ou d'autres appareils RF.

Énergie

Les substrats GaNoX conviennent aussi aux applications telles que les transistors de puissance pour moteur électrique, l'électronique grand public, les adaptateurs, l'e-mobilité, les alimentations à découpage (PFC), les alimentations d'ordinateur, les applications solaires ou l'éclairage.