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L'expertise de Soitec dans le domaine de l’épitaxie vise des applications RF, de puissance et d’éclairage
Des substrats semi-conducteurs composés révolutionnaires portent la technologie à un niveau de performance inédit pour un large éventail d’applications, qui couvre les télécommunications, l’éclairage, les applications militaires ou encore la gestion de l’énergie.
Soitec a une grande expérience de la croissance de couches épitaxiales sur des substrats d’arséniure de gallium (GaAs) et d’autres substrats semi-conducteurs composés.
Parmi ces matériaux figurent des alliages semi-conducteurs composés binaires ou ternaires obtenus par épitaxie sur des substrats comme l’arséniure de gallium (GaAs), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN), le silicium (Si) et des substrats fonctionnalisés, qui tous servent aux appareils électroniques à haute fréquence (télécommunications mobiles, réseaux d’infrastructure, communications par satellite, réseaux de fibres optiques et détection radar), mais aussi à la gestion de l’énergie et aux systèmes optoélectroniques (comme les LED).
Associés à la technologie Smart Cut™, ces matériaux composés – faits de substrats fonctionnalisés incluant des couches actives de qualité supérieure obtenues par épitaxie – offrent de hautes performances pour les nouveaux marchés.
Soitec propose son expertise en épitaxie des matériaux III-V dans les domaines suivants :
- Épitaxie par jets moléculaires (MBE) – méthode extrêmement précise d’épitaxie de minces couches monocristallines. Soitec propose des plaques à base de GaAs obtenues par MBE pour des applications commerciales comme les applications RF ou de puissance;
- Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) – méthode de croissance épitaxiale de couches cristallines minces utilisant des précurseurs organométalliques, élément essentiel à la croissance de puits quantiques multiples ;
- Épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) – Soitec a des compétences uniques en technique HVPE, qui permet la croissance de couches épaisses de GaN pouvant servir de pseudo-substrats pour des dispositifs électriques, notamment dans les LED et en gestion de l’énergie, dans les équipements solaires photovoltaïques et les véhicules électriques.