Les plaques épitaxiales GaAs de Soitec
L’unité de production Soitec specialty electronics fabrique différents types de matériaux semi-conducteurs dopés III-V (Ga, Al, In et As). Soitec propose des structures pHEMT standard et des structures sur mesure pour répondre aux spécifications client. Ses experts s’appuient sur plus de vingt ans d’expérience pour vous aider à définir avec précision la structure de couches adaptée aux impératifs de vos dispositifs.
Gamme GaAs Epi
Caractéristiques
- pHEMT générique (GaAs, AlGaAs, InGaAs)
- pHEMT E/D (enrichissement/appauvrissement)
- MESFET haut-bas et haut-bas-haut
- mHEMT (concentration de 38 % à 70 %)
Avantages
- Customisation pour MESFET, HEMT, pHEMT, mHEMT, diode
- Capacité de phosphore pour couche d’InGaP
- Procédé MBE haute température
Fabrication
- Bureau d’études pour des performances et des rendements accrus
- Contrôle SPC
Caractérisation
- Résistivité sans contact, mobilité et concentration des porteurs en surface
- Contrôle des défauts et de surface Surfscan
- Caractérisation XRD, PL, Hall
- Caractérisation électrique interne avec des dispositifs de grande surface (isolation tampon)
Applications : appareils
- Commutateurs
- Amplificateurs de puissance et à faible bruit
- Capteurs à effet Hall
- Modulateurs optiques
Applications : systèmes
- Sans fil : téléphones portables
- Défense : satellites et radars
- Automobile