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La gamme Soitec Smart Power SOI pour applications électriques et analogiques
La gamme Soitec Smart Power SOI a été mise au point pour répondre aux besoins de multiples applications analogiques et électriques et pour offrir des tensions de rupture allant jusqu’à 600 V. Soitec propose des structures standard et sur mesure, qui exigent des couches d’oxyde enterrées de plus de 145 nm. Les experts Soitec s’appuient sur plus de vingt ans d’expérience pour vous aider à définir avec précision la structure de couches adaptée aux impératifs de vos dispositifs.
Les produits Soitec Smart Power SOI de Soitec sont conçus et fabriqués à partir de la technologie avancée Smart Cut™ ou, pour des films de silicium plus épais, à partir de la croissance épitaxiale.
Les produits Soitec pour applications électriques et analogiques
- Des diamètres de 150 mm, 200 mm et 300 mm
- Une couche de silicium supérieure Smart Cut de 1 µm à 1,5 µm
- Une croissance épitaxiale pour les films de silicium plus épais
- Une couche enterrée d’oxyde de 0,145 µm à 3 µm
- Un seuil de contrôle de l’uniformité de 5 % de l’épaisseur de la couche de silicium supérieure
Avantages
- Nette réduction de la taille des puces et diminution du coût total du système
- Meilleure compatibilité électromagnétique
- Réduction du courant statique
- Pas d’effet de latch-up
- Fonctionnement à très haute température (jusqu’à 200 °C)
- 30 % de réduction du Ron des étages d’attaque
- Renforcement des propriétés des appareils