Matériau SOI
Un matériau révolutionnaire
Le SOI, « silicon on insulator » ou « turbo silicium » est un matériau silicium de nouvelle génération permettant d’insérer grâce à la technologie Smart Cut™ de Soitec, un isolant entre la couche de silicium actif sur laquelle est gravé le circuit intégré, et le substrat servant de support mécanique.
Le SOI facilite le compromis vitesse-puissance et dissipation de chaleur. D’un côté, il permet aux concepteurs de circuits de créer des composants extrêmement rapides avec un niveau de consommation standard, ou bien de créer des composants modérément rapides, mais qui consomment bien moins d’énergie et donc de chaleur que s’ils avaient été conçus et fabriqués sur du silicium conventionnel. Le SOI permet également la conception de circuits destinés à fonctionner dans des environnements et des conditions extrêmes de température et de tension d’alimentation.
Ainsi le matériau SOI est la première application industrielle et commerciale de la technologie Smart Cut. Le SOI, dont Soitec produit la gamme la plus étendue en épaisseur et en taille, couverte par l’ensemble des produits Soitec™, représente une évolution majeure dans l’industrie microélectronique. Soitec, de par sa technologie unique et exclusive Smart Cut™ et son expérience unique dans l’ingénierie des matériaux, se positionne comme un leader technologique pour apporter des solutions industrielles pour ces produits SOI avancés, et répondre aux attentes et aux besoins du marché.
Soitec a permis aux fabricants de circuits intégrés de bénéficier des services Soitec™ et des avantages du SOI à un niveau industriel grâce à sa technologie Smart Cut™. Le Groupe est aujourd’hui la première entreprise au monde dédiée à la production en masse de plaques SOI vendues sous la marque UNIBOND™.
| Les produits UNIBOND™ |
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La technologie Smart Cut™ est à l’heure actuelle, le seul procédé qui permet de fabriquer de façon industrielle des plaques SOI, référencées sous l’appellation commerciale UNIBOND™, de toutes tailles : 100, 125, 150, 200 et la nouvelle plaque de 300 mm.
Les caractéristiques des produits sont facilement adaptables à la demande car le procédé technique est flexible : la couche supérieure de silicium actif peut varier d’un film ultra mince à un film épais de plus d’un micron. L’isolant enterré obtenu par oxydation de silicium de très haute qualité peut également varier en épaisseur suivant le besoin, de quelques dizaines de nanomètres à plusieurs microns. Soitec renforce ses développements de SOI ultra mince sur plaques de 200 et 300 mm avec une excellente uniformité afin de répondre aux besoins des circuits CMOS les plus avancés. Subissant des tests et des qualifications d’une extrême rigueur, les produits UNIBOND™ sont actuellement au cœur même des systèmes électroniques les plus avancés. Le groupe développe également du SOI sur des supports à forte résistivité pour des applications RF en télécommunications. |