À travers sa démarche de R&D, Soitec a l’ambition de contribuer aux grands enjeux énergétiques.
La société met ses technologies au service de deux priorités : l’accroissement de la performance et l’amélioration de l’efficacité énergétique.
Elle les décline en quatre thématiques : la continuité de la loi de Moore pour les circuits microélectroniques (More Moore), l’ajout de nouvelles fonctions (More than Moore), l’ingénierie des matériaux composés III-V et les cellules et systèmes solaires pour la technologie CPV.
Pour répondre aux défis de continuer à miniaturiser les dispositifs pour les nœuds technologiques en-deçà de 20 nm, Soitec développe des produits SOI avec des épaisseurs de silicium actif ultra fines (10nm) des oxydes ultra fins (10nm) et des solutions permettant une plus forte mobilité électrique (orientation cristalline, silicium contraint).
Pour enrichir les fonctions des circuits et gérer leur complexité croissante, Soitec développe des substrats fonctionnalisés, des procédés de transfert de circuits sur hétérostructures telles que quartz ou verre, ainsi que des technologies d’empilement de plaques gravées.
Soitec bénéficie de la synergie entre ses technologies cœur comme Smart CutTM et son expertise en épitaxie pour créer des matériaux semi-conducteurs pour l’éclairage, pour la puissance par exemple. Ceux-ci utilisent principalement les composés à base de nitrure de gallium (GaN).
Soitec développe à la fois sur de nouvelles cellules solaires basées sur des couches multimatériaux et perfectionne les systèmes CPV (technologie de concentration du rayonnement solaire, précision du tracking). Le rendement global des systèmes CPV devrait évoluer de 27 à 37%.